内容：本中心的感应耦合离子刻蚀机，经过为期一个半月的设备安装及工艺调试工作，在物理系3名专家教授、本校设备部大型仪器负责人孙晓宇博士及本中心负责人刘松博士的监督下于2018年5月11日顺利完成验收工作。验收工艺由设备厂商的工艺工程师执行，分别完成了对SiO2及SiNx的薄膜的刻蚀验证，刻蚀速度、对PR的刻蚀选择比及刻蚀沟槽角度等涉及刻蚀能力的各项技术指标均达到验收要求，并且运行稳定。