基本信息

姓名：谢子娟

职称：博士后

电 话（办公室）：无

办公室地址：第二科研楼111

邮 箱：xiezj@sustech.edu.cn

研究领域：表面催化第一性原理计算

教育背景

2008.09-2012.07 哈尔滨工业大学，理学学士

2012.09-2014.07 哈尔滨工业大学，理学硕士

2014.09-2019.07 哈尔滨工业大学，物理学博士

2015.09-2016.08 伦敦大学学院CSC项目联合培养

2017.03-2018.02 帝国理工学院交流

工作经历

2019.08—至今 南方科技大学物理系博士后

论文及专利

(1). Donor and acceptor characteristics of native defects in GaN, Z. Xie, Y. Sui, J. Buckeridge, C. R. A. Catlow, T. W. Keal, P. Sherwood, A. Walsh, M. R. Farrow, D. O. Scanlon, S. M. Woodley, A. A Sokol, J. Phys. D: Appl. Phys. 52 335104 (2019)

(2). Prediction of multiband luminescence due to the gallium vacancy–oxygen defect complex in GaN, Z. Xie, Y. Sui, J. Buckeridge, A. A Sokol, T. W. Keal, A. Walsh, Appl. Phys. Lett. 112, 262104 (2018)

(3). Point defect engineering in thin-film solar cells, J. Park, S. Kim, Z. Xie, and A. Walsh, Nat. Rev. Mater. 3, 194– 210 (2018)

(4). Demonstration of the donor characteristics of Si and O defects in GaN using hybrid QM/MM, Z. Xie, Y. Sui, J. Buckeridge, C. R. A. Catlow, T. W. Keal, P. Sherwood, A. Walsh, D. O. Scanlon, S. M. Woodley, A. A Sokol, Phys. Status Solidi A 214, 1–5 (2017)